Transistor BD139
Q3.50
SKU K102
Descripción
Este transistor NPN de potencia media está diseñado para su uso como amplificador de audio y controladores que utilizan circuitos complementarios.
Características generales
- Polaridad del transistor: NPN
- Voltaje colector base: VCBO: 100 V
- Voltaje colector emisor VCEO: 80 V
- Voltaje emisor base VEBO: 5 V
- Disipación de potencia total Ptot: 1.25 W
- Corriente de colector DC Ic: 1.5 A
- Ganancia de corriente DC hFE: 40 hFE
- Temperatura de operación mínima: -65°C
- Temperatura de operación máxima: 150 °C
- Encapsulado: TO-126
- Número de pines: 3
- Aplicaciones: Amplificadores de audio y controladores
- Alta ganancia de corriente continua
- Sustituto: NTE184 2SD612 2N5191 2N5192 BD237 BD135