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Características generales: Transformador 12V-0V-12V tap central 2A Voltaje de entrada: 110VAC  60Hz Voltaje de salida: 2000mA 12V

Transistor  IRF3205 55V 110A Canal N Características generales: Serie: IRF3205 Voltaje: 55V Corriente: 110A Hoja de datos Palabras clave: Mosfet ...

Este es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, y...

Transistor IRFZ22 50V 14A Canal N Características generales: Serie: IRFZ22 Voltaje: 50V Corriente: 14A Hoja de datos Palabras clave: Mosfet IRFZ22

Transistor IRFZ44 55V 49A Canal N Características generales  Serie: IRFZ44 Voltaje: 55V Corriente: 49A Hoja de datos  Palabras clave: Mosfet IRFZ44

  Transistor NPN para montaje superficial. Características:    Promedios máximos (T ambiente=25 oC) Símbolo Descripción MMBT2222A ...

Transistor NPN 2N3055 15A 60V Características generales: Serie: 2N3055 Tipo: NPN Voltaje: 60V Corriente: 15A

  Transistor NPN para montaje superficial. Características:  Polaridad: PNP Disipación total del dispositivo (Pc): 0,31 W Voltaje máximo colecto...

Este es un transistor tipo T diseñado para ser utilizado en etapas amplificadoras de salida de alta potencia, como equipos de comunicaciones de ban...

  Este es un transistor de bajo voltaje de polaridad  NPN, fabricado con tecnología planar epitaxial y diseñado para su uso en amplificadores de au...

Este es un transistor de potencia media diseñado para uso como  amplificador de audio. El producto está preseleccionado en ganancia de corriente CC...

Descripción Este transistor NPN de potencia media está diseñado para su uso como amplificador de audio y controladores que utilizan circuitos compl...

Este transistor bipolar  está diseñado para su uso como amplificadores de audio y controladores que utilizan circuitos complementarios o casi compl...

  Características generales: Disipación total del dispositivo (Pc): 25 W Tensión colector-base (Vcb): 150 V Tensión colector-emisor (Vce): 150 V T...

    Características generales: MOSFET canal N VDS = 100 V, ID = 9.2 A, PW = 60W Baja resistencia en conducción RDS = 0.27 Ω max. Especificacion...

Características generales: Encapsulado: TO-220 Polaridad del transistor:N Voltaje máximo Vds: 200V Máxima corriente Id: 9A Resistencia Rds: 400mΩ ...

Este es un transistor de potencia de silicio, complementario, PNP de 60V diseñado para usarse en aplicaciones de propósito general de conmutación y...

  Características generales: Polaridad del transistor: NPN Voltaje colector base VCBO: 230 V Voltaje colector emisor VCEO: 230 V Voltaje emisor ba...

Este transistor es adecuado para los amplificadores de salida de audio de alta fidelidad y aplicaciones de amplificador de potencia de uso general...

  Características generales: Corriente en estao continuo de 8A Corriente transitoria 80A Glass Passivated Wafer Voltage en estao de apagado 10 V t...

Todos los miembros de la familia BC548  soportan corrientes de salida (corriente entre colector y emisor) hasta 100 mA mientras que las tensiones m...

Variedad de transistores NPN, PNP.  Características generales: Código: ver opciones Pines: 3   Palabras clave: Transistor, 2N2222, 2222

Los transistores de serie TIP son transistores de potencia multiuso, en la actualidad se utilizan en fuentes de alimentación, inversores, oscilador...

  Además del transmisor necesitarás los siguientes circuitos integrados: HT12D y HT12E (encoder y decoder), o bien podrás utilizar un Arduino.   ...