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Transistor IRF630

Q9.75
SKU K114

Características generales:

  • Encapsulado: TO-220
  • Polaridad del transistor:N
  • Voltaje máximo Vds: 200V
  • Máxima corriente Id: 9A
  • Resistencia Rds: 400mΩ (0.4Ω)
  • Máximo voltaje Vgs: 3V
  • Potencia de disipación: 100W
  • Número de pines: 3
  • Empaque: TO-220
  • Montaje tipo through hole
  • Mosfet polaridad N

Hoja de datos